Рис.4. Зависимость Т* от концентрации "1" - кривая для нелегированных и "2" - кривая для легированных серебром антиферромагнетиков.

Температурная зависимость Hr для спиновых стекол [2] с X = 0,46 и y = 2 мол.% серебра показана на рисунке 5.

Рис.5. Температурные зависимости резонансного Hr и внутреннего полей. "1" кривая - поле приложено параллельно кристаллографической оси [100]; "2" кривая - вдоль [111] и перпендикулярно плоскости пластинки (Н ; "3" кривая - вдоль [100]; "4" кривая - поле

приложено вдоль [110], и приложенное поле параллельно плоскости пластинки (Нп) .

В соответствии с уравнениями Киттеля для плоского образца можно записать выражения (2):

ы2

Нц(#ц + 4пМ)

Из этих можно видеть, чем выше намагниченность при понижении температуры, тем больше Hj и меньше H . Это верно при достаточно высоких температурах, но можно видеть аномальное

падение обоих полей H и H j при низких температурах, как будто бы дополнительное H

добавляется к внешнему полю. Внутреннее поле H почти не зависит от ориентации кристалла и экспериментально зависит от температуры, как показано на рисунке 5 кривая "5" . Тот же результат был получен для неоднородных антиферромагнетиков системы Сй?1 XZnxCr2. Величина H j

увеличивается при X - Xc . Единственное объяснение, которое мы можем предложить для

низкотемпературного сдвига резонансного поля Hr - это позитивная изотропная объемная

AV

стрикция парапроцесса, изученная для системы Cdi XZnxCr2 ££4 в работах [3; 4]. Стрикция

при H ~ HR и T = 10 K в спиновых стеклах равна ферромагнитного обмена J на величину

T = 10 K

ю-4

V

и сопровождается увеличением

Г 3k

S (S +1)\

(

dp

л k(avл

V

17

1,5 10-1 эрг,

(3)

J

для иона

Cr 3+ , p - давление, Tc - температура Кюри,

где k - постоянная Больцмана, спин S = -

2

dT1

-c = 0,82Kкбар для CdCr2Se [5], - = 2 10 6 бар4 ее сжимаемость [5], тогда

dpК

Hi =AHeff

M AJ

n

1 кЭ,

где n - концентрация ионов Cr3+. Мы используем тот факт, что позитивная объемная изотропная стрикция парапроцесса CdCr2 вблизи Tc такая же, как и для спиновых стекол этой системы

вблизи Tg [4].

Литература

1.E.M.Jeckson, S.B.Liao, S.M.Bhagat, J,Mag.Mag.Materials. 80(1989) 229.

2.Ю.И.Лесных, РАО ИОСО - М.:2000. с. 150-156

3.А.А.Минаков, И.В.Швец, В.Г.Веселаго, J,Mag.Mag.Materials. 87(1990) 159.

4.А.А.Минаков, И.В.Швец, INTERMAG90, Brighton, UK, (1990) AD-01.

5.V.C.Srivastava, J.Appl. Phys. 40 (1969) 1017.