[стр.-1]
1
Q2
W:
Q
1£
Cn
I. I
: С
VV3
Q-n.
I
Q-n-1 £ П-1
n
Wn
Рис. 4 Схема замещения емкостного датчика давления Разработанная параметрическая структурная схема (ПСС) микроэлектронного емкостного датчика давления представлена на рис. 5
Ur(n;i -Киццинл
0,1
С!н<1
U3
U3
I
иэ
Qmrnri
иэ
и
Э1
Q
Э1
и
э2
W.
э1
*>1
Q32
Q32s
и
3iS
u3i
w.
э2
Q32
Q33
Q3i
Э0
d/dt | R3 | |
Q3n Q3n
u3
Рис. 5 ПСС емкостного датчика давления.
Получены математические зависимости, определяющие параметры и величины ПСС емкостного датчика давления через реальные физические величины.
Разработанная модель позволила автоматизировать расчет выходных характеристик преобразователя.
Адекватность полученной модели
5
50 1 40 -30 -20 -10 -
0
0 25 50 75 100
давление (кПа)
-номиналь ное
напряжен ие
вычислен ное
напряжен ие
была проверена путем сличения результатов расчета выходных характеристик датчика разработанным методом с паспортными данными этого датчика (Рис. 6).
Проверкапоказала,что
Рис. 6. Диаграмма выходного напряжения использование разработанной модели
микроэлектронного датчика давления
на ранних стадиях проектирования вполне приемлемо.
Автоматизация проектирования микроэлектронных емкостных датчиков давления должна снизить их себестоимость
Литература
1.Зарипов М. Ф., Петрова И. Ю. Энергоинфориационный метод анализа и синтеза чувствительных элементов систем управления Датчики и системы. 1999 № 5.
2.И. Ю. Петрова, О. М. Шикульская. Универсальная структурно-параметрическая модель плоской мембраны Датчики и системы 2000 №2 - с.14-16
3.Шикульская О. М., Шикульский М. И. Математическая модель прогиба плоской мембраны Сборник трудов XVII Международ. науч. конф. Математические методы в технике и технологиях - ММТТ-17: В 10 т. Т. 8. Секции 9,10 / Под общ. ред. В.С. Балакирева. - Кострома: Изд-во Костромского гос. технол. ун-та,
2004, - 243 с. (с. 35-38)
4.Р. Фейман, Р. Лейтов, М. Сендс. Феймановские лекции по физике. Т.5 Электричество и магнетизм. Перевод с английского, - М.: Мир, 1977, 304 с.
